[savche]

Hallo!

Ich kann jetzt schon sagen das SiGe viel strahlenhärter ist als GaAs. Fast aus allen Graphen die man auf meiner Homepage zum Thema Strahlentest findet kann man es sehen. Sogar die Linearität im INPUT/OUTPUT Verhalten des Signals ist besser bei um bis zu 10E3 höheren Werten des INPUTS.
In den nächsten Wochen werde ich weitere Ergebnisse zu dem Thema veröffentlichen, auch die Abhängigkeit des Gains über den Flux, usw. Bin noch bei der Auswertung..
Die genauen Zeiten der Zerstörung kann man nicht angeben da es auch vom Model und Typ des Transistors abhängt, natürlich auch vom Neutronenflux. Momentan kommt man fast auf 10E16 n/cm2 (integriert, Gesamtflux) in ca. 2 Tagen, was 10 mal mehr ist als in den vorherrigen Experimenten dieser Art.
Wenn jemand noch irgendwelche gezielte Fragen hat, freue ich mich diese beantworten zu können (soweit ich es selber verstanden habe)!