[Jaki]

Hallo Bernhard, anbei die Aufgabenstellung.
Sie entwerfen eine pin-Fotodiode für λ = 850nm. Die aktive Fläche ist A = 500μm2, die Schichten
weiden folgende Dicken auf: wi=100μm, wp=20μm, wn=2mm. Der Absorptionskoeffizient betrage
4 -1
α‘=10m .DieBrechzahlistungefährn=3.DieBeweglichkeitderEl ektronenundLöcherliebe
bei ve = 20 m/s bzw. vi = 10 m/s.
a) (4 Punkte) Welchen Quantenwirkungsgrad erwarten Sie bei der o.g. pin-Fotodiode, wenn
keine weiteren Maßnahmen treffen?
b) (1 Punkt) Welcher Quantenwirkungsgrad ergibt sich, wenn Sie die Werte der n-Schicht auf
wn=500μm halbieren?
c) (3 Punkte) Welche Driftzeiten ergeben sich und welche maximale Bandbreite lässt sich
daraus ungefähr ableiten?