Grenzflächen bei Halbleitern und Isolatoren

[Kai]

Guten Abend!
Ich habe letztens ein Kolloquium besucht (ich kam leider etwas später aus spezifischen Gründen), in dem die Eigenschaften von Grenzflächen bei Halbleitern und Isolatoren angesprochen wurden, wobei die Grenzflächen bei Halbleitern außer Acht gelassen werden sollte.
Gesagt wurde, dass, sollte man eine Grenzschicht an einem Isolator entstehen lassen, ein Isolator eine leitende Eigenschaft erhält.
Kurz gesagt: Aus einem Isolator wird quasi ein Metall durch eine solche Grenzschicht.
Mein erstes Problem ist jetzt: Was genau passiert jetzt bei so einer Grenzschicht (das Problem ist jetzt nicht der Energiezuwachs bzw. die Energieabnahme)?
Mein zweites Problem ist auch: Es wurde ebenfalls auch erwähnt, dass die Formel für die Kapazität am Plattenkondensator (c=eps0 * epsr*A/d) nicht mehr korrekt ist, weil c>eps0... ist. Warum ist dies so?

Ich bedanke mich schon mal im Voraus.
Gruß Kai

P.S.: Wäre auch nett, wenn jemand einen Link angeben könnte (habe nämlich kaum noch Zeit für Recherchen...).